FeTeSe薄膜における磁束ピン止めの論文
鉄系超伝導体の一種であるFeTe0.6Se0.4を機械的に剥離して、薄膜デバイスを作製し、磁束のピン止め機構を調べました。その結果、およそ100 nmでstrong pinningからweak collective pinningへとクロスオーバーすることを解明しました。工藤研究室中島正道助教との共同研究です。Physical Review B 104, 165412 (2021).
鉄系超伝導体の一種であるFeTe0.6Se0.4を機械的に剥離して、薄膜デバイスを作製し、磁束のピン止め機構を調べました。その結果、およそ100 nmでstrong pinningからweak collective pinningへとクロスオーバーすることを解明しました。工藤研究室中島正道助教との共同研究です。Physical Review B 104, 165412 (2021).