SeドープPtBi2の薄膜超伝導に関する論文
PtBi2という極性構造をもつ超伝導体に、Seをドープすることで、非極性構造の超伝導体に変わり、それに伴って超伝導転移温度が上昇することが報告されていました。そこで我々は、機械的剥離法を用いてSeドープPtBi2を薄膜デバイスに加工したところ、膜厚60 nm程度までは超伝導転移温度が高いまま維持されること、またファンデルワールス超伝導体としてこの超伝導体が非常に有用であることを見出しました。本研究は工藤研究室との共同研究です。JPS Conf. Proc. 38, 011036 (2023).