ファンデルワールス超伝導体Pt(Bi_1-x Se_x)2における二準位臨界状態の観測
トリゴナル構造をもつPtBi2にSeをドープしたPt(Bi1-xSex)2では、超伝導転移温度が4倍増強し、さらに非ドープ状態のPtBi2が極性をもつのに対して、非極性構造をとることが知られています。この超伝導体の薄膜デバイスを作製し、磁気抵抗を測定したところ、超伝導Pt(Bi1-xSex)2内に侵入した磁束が重要な役割を果たす「二準位臨界状態」に起因する磁気抵抗の振舞いを観測しました。本研究は、大阪大学の工藤研究室、萩原研究室、沖縄科学技術大学院大学の岡田研究室 との共同研究です。Physical Review B 111, 064506 (2025).