ナノスケール物性研究室の発足
2021年10月1日にナノスケール物性研究室が発足し、ウェブサイトを立ち上げました。今後とも宜しくお願いします。




2021年10月1日にナノスケール物性研究室が発足し、ウェブサイトを立ち上げました。今後とも宜しくお願いします。
1次元性の強い電荷密度波物質であるNbSe3を機械的に剥離して薄膜デバイスを作製したところ、電荷密度波転移に伴う抵抗の増大を、これまでの薄膜研究と比べて、明瞭に観測することに成功しました。この結果は、NbSe2薄膜の場合と同様に、表面弾性波照射によって電荷密度波が変調されることを示唆しています。Japanese Journal of Applied Physics 60, 070904 (2021).
卒業生の皆さん、ご卒業おめでとうございます。今後のご活躍を祈念しております!
またB4の中村瞭弥さんが理学部賞を受賞されました!!おめでとうございます!!
ファンデルワールス強磁性体Fe5GeTe2デバイスの磁気転移温度近傍で、10%を超えるバタフライ型の磁気抵抗を観測しました。この磁気抵抗は薄膜にするほど、さらに急冷した試料で顕著に現れました。本研究は、沖縄科学技術大学院大学の岡田佳憲准教授のグループとの共同研究です。AIP Advances 11, 025014 (2021).
ファンデルワールス反強磁性体CeTe3デバイスで観測された量子振動を解析して、有効質量を算出したところ、0.06me程度であることが分かりました。また、磁気転移温度以下では、有効質量が一桁程度増大する可能性があることを発見しました。沖縄科学技術大学院大学の岡田佳憲准教授のグループとの共同研究です。AIP Advances 11, 015005 (2021).
例年、院試後に行われていた飲み会が今年度はコロナウィルスの影響で行うことができませんでした。そこで、換気をした部屋で、十分に距離を保った状況で昼食会を開きました。来年の4月には状況が良くなっているといいですね。